Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB26NM60N
STB26NM60N Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB26NM60N

Номер детали производителя STB26NM60N
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 20797 pcs
Техническая спецификация STB,F,P, W26NM60ND2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$2.791 $2.523 $2.089 $1.819
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 20797 STMicroelectronics STB26NM60N в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 140W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1800 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)
Базовый номер продукта STB26

Рекомендуемые продукты

STB26NM60N DataSheet PDF

Техническая спецификация