Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RJK2009DPM-00#T0
RJK2009DPM-00#T0 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RJK2009DPM-00#T0

Номер детали производителя RJK2009DPM-00#T0
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Упаковка TO-3PFM
В наличии 5802 pcs
Техническая спецификация Label Change-All Devices 01/Dec/2022
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 5802 Renesas Electronics America Inc RJK2009DPM-00#T0 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-3PFM
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 60W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Рабочая Температура -
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2900 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Ta)
Базовый номер продукта RJK2009

Рекомендуемые продукты

RJK2009DPM-00#T0 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RJK2009DPM-00#T0

Связанные детали для RJK2009DPM-00#T0