Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RJK2006DPE-00#J3
RJK2006DPE-00#J3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RJK2006DPE-00#J3

Номер детали производителя RJK2006DPE-00#J3
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
Упаковка LDPAK
В наличии 4629 pcs
Техническая спецификация Label Change-All Devices 01/Dec/2022
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 4629 Renesas Electronics America Inc RJK2006DPE-00#J3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства LDPAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 100W (Tc)
Упаковка / SC-83
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Ta)
Базовый номер продукта RJK2006

Рекомендуемые продукты

RJK2006DPE-00#J3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RJK2006DPE-00#J3

Связанные детали для RJK2006DPE-00#J3