Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RM20N650T2
Rectron USA

RM20N650T2

Номер детали производителя RM20N650T2
производитель Rectron USA
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Упаковка TO-220-3
В наличии 112999 pcs
Техническая спецификация RM20N650xx
Справочная цена (В долларах США)
5000
$0.4
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rectron USA.У нас есть кусочки 112999 Rectron USA RM20N650T2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-3
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 180W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2600 pF @ 50 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RM20N650T2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RM20N650T2

Связанные детали для RM20N650T2