Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RFD8P06ESM

RFD8P06ESM

Номер детали производителя RFD8P06ESM
производитель Harris Corporation
Подробное описание P-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка TO-252-3 (DPAK)
В наличии 6729 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 6729 Harris Corporation RFD8P06ESM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) -
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252-3 (DPAK)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Рассеиваемая мощность (макс) -
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -
Тип установки Surface Mount
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A

Рекомендуемые продукты

RFD8P06ESM DataSheet PDF

Ключевые слова для RFD8P06ESM

Связанные детали для RFD8P06ESM