Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RFD7N10LE

RFD7N10LE

Номер детали производителя RFD7N10LE
производитель Harris Corporation
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка TO-220-3
В наличии 176922 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
606
$0.194
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 176922 Harris Corporation RFD7N10LE в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) +10V, -8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-3
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 7A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс) 47W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 360 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RFD7N10LE DataSheet PDF

Ключевые слова для RFD7N10LE

Связанные детали для RFD7N10LE