RF1S22N10SM
Номер детали производителя | RF1S22N10SM |
---|---|
производитель | Harris Corporation |
Подробное описание | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Упаковка | TO-263AB |
В наличии | 148828 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
381 |
---|
$0.319 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 148828 Harris Corporation RF1S22N10SM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | - |
Vgs (макс.) | - |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263AB |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | - |
Тип установки | Surface Mount |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 22A |
Рекомендуемые продукты
-
RF1K4915796
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RF1K49157
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor