RF1K4915796
Номер детали производителя | RF1K4915796 |
---|---|
производитель | Fairchild Semiconductor |
Подробное описание | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Упаковка | 8-SOIC |
В наличии | 127316 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
365 |
---|
$0.329 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 127316 Fairchild Semiconductor RF1K4915796 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.3A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2W (Ta) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Bulk |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1575 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 88 nC @ 20 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6.3A (Ta) |
Рекомендуемые продукты
-
RF1S15N06
DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),Harris Corporation -
RF1S17N06L
DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),Harris Corporation -
RF1S15N08L
LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICEHarris Corporation -
RF1S22N10
N-CHANNEL POWER MOSFETHarris Corporation -
RF1K4909096
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RF1K4915496
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RF1K4915696
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RF1K4909396
P-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RF1K470MNN0812
ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORSChinsan (Elite) -
RF1K49092
P-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RF1S23N06LE
23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,Harris Corporation -
RF1S15N06SM
N-CHANNEL POWER MOSFETHarris Corporation -
RF1K49156
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RF1K49223
DUAL P-CHANNEL POWER MOSFETHarris Corporation -
RF1K49157
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RF1K49211
N-CHANNEL POWER MOSFETHarris Corporation -
RF1S17N06LSM
LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICEHarris Corporation -
RF1S22N10SM
N-CHANNEL POWER MOSFETHarris Corporation -
RF1K4909396
RF1K4909396 - POWER FIELD-EFFECTHarris Corporation -
RF1K4909096
RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECTHarris Corporation