Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > PSMN1R3-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN1R3-30YL,115

Номер детали производителя PSMN1R3-30YL,115
производитель Nexperia USA Inc.
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Упаковка LFPAK56; Power-SO8
В наличии 69676 pcs
Техническая спецификация PSMN1R3-30YLAll Dev Label Chgs 2/Aug/2020Mult Devices Label 30/Sep/2018Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022Solder Material Update 14/Sep/2015
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.042 $0.938 $0.754 $0.619
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 69676 Nexperia USA Inc. PSMN1R3-30YL,115 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства LFPAK56; Power-SO8
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 121W (Tc)
Упаковка / SOT-1023, 4-LFPAK
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6227 pF @ 12 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Базовый номер продукта PSMN1R3

Рекомендуемые продукты

PSMN1R3-30YL,115 DataSheet PDF

Техническая спецификация