Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > PSMN1R6-30BL,118
NXP USA Inc.

PSMN1R6-30BL,118

Номер детали производителя PSMN1R6-30BL,118
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание NOW NEXPERIA PSMN1R6-30BL - 100A
Упаковка D2PAK
В наличии 4218 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 4218 NXP USA Inc. PSMN1R6-30BL,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 306W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 12493 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 212 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)

Рекомендуемые продукты

PSMN1R6-30BL,118 DataSheet PDF

Ключевые слова для PSMN1R6-30BL,118

Связанные детали для PSMN1R6-30BL,118