Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > PDTD143ET-QR
Nexperia USA Inc.

PDTD143ET-QR

Номер детали производителя PDTD143ET-QR
производитель Nexperia USA Inc.
Подробное описание PDTD143ET-Q/SOT23/TO-236AB
Упаковка TO-236AB
В наличии 2251054 pcs
Техническая спецификация PDTD143ET-Q
Справочная цена (В долларах США)
3000 6000 15000 30000 75000 150000
$0.024 $0.021 $0.018 $0.017 $0.016 $0.015
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 2251054 Nexperia USA Inc. PDTD143ET-QR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства TO-236AB
Серии Automotive, AEC-Q101
Резистор - основание эмиттера (R2) 4.7 kOhms
Резистор - основание (R1) 4.7 kOhms
Мощность - Макс 320 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 225 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
Базовый номер продукта PDTD143

Рекомендуемые продукты

PDTD143ET-QR DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для PDTD143ET-QR

Связанные детали для PDTD143ET-QR