Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > PDTC114YQBZ
Nexperia USA Inc.

PDTC114YQBZ

Номер детали производителя PDTC114YQBZ
производитель Nexperia USA Inc.
Подробное описание PDTC114YQB/SOT8015/DFN1110D-3
Упаковка DFN1110D-3
В наличии 2169293 pcs
Техническая спецификация Multiple Parts obs 30/Jun/2022PDTA114YQB
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.098 $0.079 $0.042 $0.028 $0.019 $0.017
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 2169293 Nexperia USA Inc. PDTC114YQBZ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства DFN1110D-3
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 10 kOhms
Мощность - Макс 340 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / 3-XDFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount, Wettable Flank
Частота - Переход 180 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта PDTC114

Рекомендуемые продукты

PDTC114YQBZ DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для PDTC114YQBZ

Связанные детали для PDTC114YQBZ