Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > PDTC115EE,115
NXP USA Inc.

PDTC115EE,115

Номер детали производителя PDTC115EE,115
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Упаковка SC-75
В наличии 6056 pcs
Техническая спецификация PDTC115E SeriesMultiple Devices 29/Dec/2014All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS CertAdvance Notice SOT416 Devices 02/Sep/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 6056 NXP USA Inc. PDTC115EE,115 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SC-75
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 100 kOhms
Резистор - основание (R1) 100 kOhms
Мощность - Макс 150 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-75, SOT-416
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 20 mA
Базовый номер продукта PDTC115

Рекомендуемые продукты

PDTC115EE,115 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для PDTC115EE,115

Связанные детали для PDTC115EE,115