Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BUK7C08-55AITE,118
BUK7C08-55AITE,118 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

BUK7C08-55AITE,118

Номер детали производителя BUK7C08-55AITE,118
производитель Nexperia USA Inc.
Подробное описание MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Упаковка D2PAK-7
В наличии 4681 pcs
Техническая спецификация Label Chg 12/Mar/2017All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Mid-Year Product Disc 30/Jun/2017Mult Dev EOL 5/Jan/2019BUK7C08-55AITE
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 4681 Nexperia USA Inc. BUK7C08-55AITE,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK-7
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 272W (Tc)
Упаковка / TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4200 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 116 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Current Sensing
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 75A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BUK7C08-55AITE,118 DataSheet PDF

Техническая спецификация