Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

BUK7E1R6-30E,127

Номер детали производителя	BUK7E1R6-30E,127
производитель	NXP Semiconductors / Freescale
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Упаковка	I2PAK
В наличии	4465 pcs
Техническая спецификация

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors / Freescale.У нас есть кусочки 4465 NXP Semiconductors / Freescale BUK7E1R6-30E,127 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	I2PAK
Серии	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	349W (Tc)
упаковка	Tube
Упаковка /	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия	568-9848-5 934066509127 BUK7E1R630E127
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	11960pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	154nC @ 10V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30V
Подробное описание	N-Channel 30V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	120A (Tc)