Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

Номер детали производителя APTGV50H120BTPG
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP6P
Упаковка SP6-P
В наличии 6679 pcs
Техническая спецификация Power Module Disc 23/Mar/2016Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 6679 Microsemi Corporation APTGV50H120BTPG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Поставщик Упаковка устройства SP6-P
Серии -
Мощность - Макс 270 W
Упаковка / SP6
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора Yes
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.6 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT NPT, Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 250 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 75 A
конфигурация Boost Chopper, Full Bridge

Рекомендуемые продукты

APTGV50H120BTPG DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для APTGV50H120BTPG

Связанные детали для APTGV50H120BTPG