Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

Номер детали производителя APTGV25H120T3G
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP3
Упаковка SP3
В наличии 5024 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSPower Module Disc 23/Mar/2016SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 5024 Microsemi Corporation APTGV25H120T3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Поставщик Упаковка устройства SP3
Серии -
Мощность - Макс 156 W
Упаковка / SP3
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора Yes
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 1.8 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT NPT, Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 250 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 40 A
конфигурация Full Bridge Inverter

Рекомендуемые продукты

APTGV25H120T3G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для APTGV25H120T3G

Связанные детали для APTGV25H120T3G