APT11N80KC3G
Номер детали производителя | APT11N80KC3G |
---|---|
производитель | Microsemi Corporation |
Подробное описание | MOSFET N-CH 800V 11A TO220 |
Упаковка | TO-220 [K] |
В наличии | 6459 pcs |
Техническая спецификация | Power Products CatalogMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSMultiple Devices 30/Apr/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 6459 Microsemi Corporation APT11N80KC3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220 [K] |
Серии | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 156W (Tc) |
Упаковка / | TO-220-3 |
Упаковка | Tube |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1585 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 800 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
APT1201R4BLLG
MOSFET N-CH 1200V 9A TO247Microchip Technology -
APT1201R2BLLG
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247Microchip Technology -
APT10SCE65B
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247Microsemi Corporation -
APT1201R4BFLLG
MOSFET N-CH 1200V 9A TO247Microchip Technology -
APT11F80S
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAKMicrosemi Corporation -
APT11F80B
MOSFET N-CH 800V 12A TO247Microchip Technology -
APT1201R6BVFRG
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247Microchip Technology -
APT10SCE65K
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220Microsemi Corporation -
APT1201R6BVRG
MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247Microchip Technology -
APT1201R5BVFRG
MOSFET N-CH 1200V 10A TO247Microchip Technology -
APT11GF120KRG
IGBT 1200V 25A 156W TO220Microsemi Corporation -
APT1201R5BVRG
MOSFET N-CH 1200V 10A TO247Microchip Technology -
APT1201R4SFLLG
MOSFET N-CH 1200V 9A D3PAKMicrochip Technology -
APT1201R6SVFRG
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAKMicrochip Technology -
APT11GF120BRDQ1G
IGBT 1200V 25A 156W TO247Microsemi Corporation -
APT11N80BC3G
MOSFET N-CH 800V 11A TO247Microchip Technology -
APT11GP60BDQBG
IGBT 600V 41A 187W TO247Microsemi Corporation -
APT10SCE120B
DIODE SIL CARB 1.2KV 43A TO247Microsemi Corporation -
APT1201R2BFLLG
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247Microchip Technology -
APT10SCE170B
DIODE SIL CARB 1.7KV 23A TO247Microsemi Corporation