Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > APT10M11B2VFRG
Microsemi Corporation

APT10M11B2VFRG

Номер детали производителя APT10M11B2VFRG
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Упаковка T-MAX™
В наличии 5143 pcs
Техническая спецификация APT10M11(B2,L)VFRMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 5143 Microsemi Corporation APT10M11B2VFRG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства T-MAX™
Серии POWER MOS V®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 520W (Tc)
Упаковка / TO-247-3 Variant
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 10300 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 450 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)

Рекомендуемые продукты

APT10M11B2VFRG DataSheet PDF

Техническая спецификация