1N6474USE3/TR
| Номер детали производителя | 1N6474USE3/TR |
|---|---|
| производитель | Microchip Technology |
| Подробное описание | UNI-DIRECTIONAL TVS |
| Упаковка | G-MELF (D-5C) |
| В наличии | 6012 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 100 |
|---|
| $5.599 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 6012 Microchip Technology 1N6474USE3/TR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое) | 30.5V |
| Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp | 47.5V |
| Напряжение - пробой (мин.) | 33V |
| Однонаправленные каналы | 1 |
| Тип | Zener |
| Поставщик Упаковка устройства | G-MELF (D-5C) |
| Серии | - |
| Защита линий электропередач | No |
| Мощность - пиковый импульс | 1500W (1.5kW) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка / | SQ-MELF, G |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs) | 32A |
| Емкость @ Частота | - |
| Базовый номер продукта | 1N6474 |
| Приложения | General Purpose |
Рекомендуемые продукты
-
1N6473US
TVS DIODE 24VWM 41.4VC G-MELFMicrochip Technology -
1N6475US
TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC G-MELFMicrochip Technology -
1N6476US
TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC G-MELFMicrochip Technology -
1N6476
TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC AXIALMicrochip Technology -
1N6478-E3/97
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N6472US
TVS DIODE 15VWM 26.5VC G-MELFMicrochip Technology -
1N6475
TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC AXIALMicrochip Technology -
1N6471US
TVS DIODE 12VWM 22.6VC G-MELFMicrochip Technology -
1N6474US
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELFMicrochip Technology -
1N6479-E3/97
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N6478HE3/96
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N6471US/TR
UNI-DIRECTIONAL TVSMicrochip Technology -
1N6473
TVS DIODE 24VWM 41.4VC AXIALMicrochip Technology -
1N6478-E3/96
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N6472
TVS DIODE 15VWM 26.5VC AXIALMicrochip Technology -
1N6479-E3/96
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N6474
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC AXIALMicrochip Technology -
1N6474US/TR
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELFMicrochip Technology -
1N6478HE3/97
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N6474USE3
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G AXIALMicrochip Technology