1N6471
Номер детали производителя
1N6471
производитель
Microchip Technology
Подробное описание
TVS DIODE 12VWM 22.6VC AXIAL
Упаковка
Axial
В наличии
9658 pcs
Техническая спецификация
2.73KHz
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 9658 Microchip Technology 1N6471 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое)
12V
Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp
22.6V
Напряжение - пробой (мин.)
13.6V
Однонаправленные каналы
1
Тип
Zener
Поставщик Упаковка устройства
Axial
Серии
-
Защита линий электропередач
No
Мощность - пиковый импульс
1500W (1.5kW)
Свойства продукта
Значение атрибута
Упаковка /
G, Axial
Упаковка
Bulk
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки
Through Hole
Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs)
374A (8/20µs)
Емкость @ Частота
-
Базовый номер продукта
1N647
Приложения
General Purpose
Рекомендуемые продукты
1N6471US
TVS DIODE 12VWM 22.6VC G-MELF
Microchip Technology
1N6473US
TVS DIODE 24VWM 41.4VC G-MELF
Microchip Technology
1N647-1E3
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Microchip Technology
1N647/TR
DIODE GEN PURP 400V DO35
Microchip Technology
1N647-1/TR
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Microchip Technology
1N6474US
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELF
Microchip Technology
1N647-1
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Microchip Technology
1N6470US
TVS DIODE 6VWM 11VC G-MELF
Microchip Technology
1N6474
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC AXIAL
Microchip Technology
1N6472
TVS DIODE 15VWM 26.5VC AXIAL
Microchip Technology
1N6470
TVS DIODE 6VWM 11VC AXIAL
Microchip Technology
1N6472US
TVS DIODE 15VWM 26.5VC G-MELF
Microchip Technology
1N6471US/TR
UNI-DIRECTIONAL TVS
Microchip Technology
1N6473
TVS DIODE 24VWM 41.4VC AXIAL
Microchip Technology
1N6471E3
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Microchip Technology
1N6474US/TR
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELF
Microchip Technology
1N647
DIODE GEN PURP 400V DO35
Microchip Technology
1N647 BK
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO7
Central Semiconductor Corp
1N647
DIODE GEN PURP 400V DO35
NTE Electronics, Inc
1N647-1E3/TR
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Microchip Technology
Техническая спецификация
DataShieT File обзор