Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RQ3E120BNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E120BNTB

Номер детали производителя RQ3E120BNTB
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Упаковка 8-HSMT (3.2x3)
В наличии 395866 pcs
Техническая спецификация Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSL
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.236 $0.204 $0.152 $0.12 $0.092
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 395866 Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-HSMT (3.2x3)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Ta)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta)
Базовый номер продукта RQ3E120

Рекомендуемые продукты

RQ3E120BNTB DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RQ3E120BNTB

Связанные детали для RQ3E120BNTB