Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RQ3E100GNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E100GNTB

Номер детали производителя RQ3E100GNTB
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Упаковка 8-HSMT (3.2x3)
В наличии 542413 pcs
Техническая спецификация Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSL
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.163 $0.138 $0.103 $0.081 $0.063
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 542413 Rohm Semiconductor RQ3E100GNTB в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-HSMT (3.2x3)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Ta), 15W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 420 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7.9 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Ta)
Базовый номер продукта RQ3E100

Рекомендуемые продукты

RQ3E100GNTB DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RQ3E100GNTB

Связанные детали для RQ3E100GNTB