Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RF4G100BGTCR
Rohm Semiconductor

RF4G100BGTCR

Номер детали производителя RF4G100BGTCR
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Упаковка DFN2020-8S
В наличии 169227 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.426 $0.38 $0.296 $0.245 $0.193
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 169227 Rohm Semiconductor RF4G100BGTCR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DFN2020-8S
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.2mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Ta)
Упаковка / 8-PowerUDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 530 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10.6 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Ta)
Базовый номер продукта RF4G100

Рекомендуемые продукты

RF4G100BGTCR DataSheet PDF