Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RF4E110BNTR
Rohm Semiconductor

RF4E110BNTR

Номер детали производителя RF4E110BNTR
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Упаковка HUML2020L8
В наличии 392928 pcs
Техническая спецификация Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSL
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.264 $0.231 $0.177 $0.14 $0.112
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 392928 Rohm Semiconductor RF4E110BNTR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства HUML2020L8
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 11A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Ta)
Упаковка / 8-PowerUDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1200 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta)
Базовый номер продукта RF4E110

Рекомендуемые продукты

RF4E110BNTR DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RF4E110BNTR

Связанные детали для RF4E110BNTR