Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTP1R6N50D2
IXTP1R6N50D2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXTP1R6N50D2

Номер детали производителя IXTP1R6N50D2
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Упаковка TO-220-3
В наличии 77132 pcs
Техническая спецификация IXT(Y,A,P)1R6N50D2
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.169 $1.049 $0.859 $0.732 $0.617 $0.586 $0.564
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 77132 IXYS IXTP1R6N50D2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-3
Серии Depletion
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Рассеиваемая мощность (макс) 100W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 645 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 23.7 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.6A (Tc)
Базовый номер продукта IXTP1

Рекомендуемые продукты

IXTP1R6N50D2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTP1R6N50D2

Связанные детали для IXTP1R6N50D2