Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTP1N80
IXTP1N80 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXTP1N80

Номер детали производителя IXTP1N80
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 750MA TO220AB
Упаковка TO-220-3
В наличии 6886 pcs
Техническая спецификация IXT(A,P,Y)1N80
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 6886 IXYS IXTP1N80 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-3
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11Ohm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 40W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Box
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 220 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 750mA (Tc)
Базовый номер продукта IXTP1

Рекомендуемые продукты

IXTP1N80 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTP1N80

Связанные детали для IXTP1N80