Изображение может быть представлением.
IXTA1R6N100D2HV
Номер детали производителя
IXTA1R6N100D2HV
производитель
IXYS
Подробное описание
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Упаковка
TO-263HV
В наличии
40000 pcs
Техническая спецификация
IXTA1R6N100D2HV
Справочная цена (В долларах США)
1
10
100
500
1000
2000
$1.958
$1.76
$1.442
$1.228
$1.035
$0.984
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 40000 IXYS IXTA1R6N100D2HV в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Vgs (макс.)
±20V
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства
TO-263HV
Серии
Depletion
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
Рассеиваемая мощность (макс)
100W (Tc)
Упаковка /
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка
Tube
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта
Значение атрибута
Тип установки
Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
645 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Тип FET
N-Channel
FET Характеристика
Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Слить к источнику напряжения (VDSS)
1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
1.6A (Tj)
Базовый номер продукта
IXTA1
IXTA1R6N100D2HV DataSheet PDF
Техническая спецификация
DataShieT File обзор
