Изображение может быть представлением.
IXTA1R4N120P
Номер детали производителя
IXTA1R4N120P
производитель
IXYS
Подробное описание
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Упаковка
TO-263AA
В наличии
39558 pcs
Техническая спецификация
IXT(Y,A,P)1R4N120P
Справочная цена (В долларах США)
1
10
100
500
1000
2000
$2.083
$1.869
$1.531
$1.304
$1.1
$1.045
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 39558 IXYS IXTA1R4N120P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Vgs (макс.)
±20V
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства
TO-263AA
Серии
Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13Ohm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)
86W (Tc)
Упаковка /
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка
Tube
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта
Значение атрибута
Тип установки
Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
666 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Тип FET
N-Channel
FET Характеристика
-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)
1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
1.4A (Tc)
Базовый номер продукта
IXTA1
IXTA1R4N120P DataSheet PDF
Техническая спецификация
DataShieT File обзор
