Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFX26N100P
IXFX26N100P Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXFX26N100P

Номер детали производителя IXFX26N100P
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3
Упаковка PLUS247™-3
В наличии 2980 pcs
Техническая спецификация IXF(K,X)26N100P
Справочная цена (В долларах США)
30
$12.362
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 2980 IXYS IXFX26N100P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PLUS247™-3
Серии HiPerFET™, Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 780W (Tc)
Упаковка / TO-247-3 Variant
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 11900 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 197 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 26A (Tc)
Базовый номер продукта IXFX26

Рекомендуемые продукты

IXFX26N100P DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFX26N100P

Связанные детали для IXFX26N100P