Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFX20N80Q
IXYS

IXFX20N80Q

Номер детали производителя IXFX20N80Q
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
Упаковка PLUS247™-3
В наличии 6661 pcs
Техническая спецификация Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 6661 IXYS IXFX20N80Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PLUS247™-3
Серии HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 360W (Tc)
Упаковка / TO-247-3 Variant
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5100 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)
Базовый номер продукта IXFX20

Рекомендуемые продукты

IXFX20N80Q DataSheet PDF

Техническая спецификация