Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXFP4N100Q

Номер детали производителя	IXFP4N100Q
производитель	IXYS
Подробное описание	MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Упаковка	TO-220-3
В наличии	23612 pcs
Техническая спецификация	IXF(A,P)4N100Q

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100
$2.073	$1.861	$1.524

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 23612 IXYS IXFP4N100Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	5V @ 1.5mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	TO-220-3
Серии	HiPerFET™, Q Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	150W (Tc)
Упаковка /	TO-220-3
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1050 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4A (Tc)
Базовый номер продукта	IXFP4N100