Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFP4N100PM
IXYS

IXFP4N100PM

Номер детали производителя IXFP4N100PM
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 2.1A TO220
Упаковка TO-220 Isolated Tab
В наличии 25344 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices Molding Compound 07/Sep/2020IXFP4N100PM
Справочная цена (В долларах США)
300
$1.836
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 25344 IXYS IXFP4N100PM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 6V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220 Isolated Tab
Серии HiPerFET™, Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 40W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1456 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.1A (Tc)
Базовый номер продукта IXFP4N100

Рекомендуемые продукты

IXFP4N100PM DataSheet PDF

Техническая спецификация