Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFN200N10P
IXYS

IXFN200N10P

Номер детали производителя IXFN200N10P
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Упаковка SOT-227B
В наличии 4199 pcs
Техническая спецификация IXFN200N10P
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$10.324 $9.521 $8.13
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 4199 IXYS IXFN200N10P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-227B
Серии HiPerFET™, Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 680W (Tc)
Упаковка / SOT-227-4, miniBLOC
Упаковка Box
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7600 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 235 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 200A (Tc)
Базовый номер продукта IXFN200

Рекомендуемые продукты

IXFN200N10P DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFN200N10P

Связанные детали для IXFN200N10P