Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFN150N10
IXYS

IXFN150N10

Номер детали производителя IXFN150N10
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Упаковка SOT-227B
В наличии 4018 pcs
Техническая спецификация IXFN(100,150)N10
Справочная цена (В долларах США)
20
$11.554
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 4018 IXYS IXFN150N10 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-227B
Серии HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 520W (Tc)
Упаковка / SOT-227-4, miniBLOC
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9000 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 360 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 150A (Tc)
Базовый номер продукта IXFN150

Рекомендуемые продукты

IXFN150N10 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFN150N10

Связанные детали для IXFN150N10