Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF710

IRF710

Номер детали производителя IRF710
производитель Harris Corporation
Подробное описание PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Упаковка TO-220AB
В наличии 278203 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
740
$0.149
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 278203 Harris Corporation IRF710 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 36W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 135 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 400 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Tc)
Базовый номер продукта IRF710

Рекомендуемые продукты

IRF710 DataSheet PDF

Ключевые слова для IRF710

Связанные детали для IRF710