Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRF7103Q
IRF7103Q Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF7103Q

Номер детали производителя IRF7103Q
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Упаковка 8-SO
В наличии 6548 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering System
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6548 Infineon Technologies IRF7103Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V
Мощность - Макс 2.4W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 255pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 50V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRF71

Рекомендуемые продукты

IRF7103Q DataSheet PDF

Техническая спецификация