Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF122

IRF122

Номер детали производителя IRF122
производитель Harris Corporation
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка TO-3
В наличии 125895 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
341
$0.326
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 125895 Harris Corporation IRF122 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-3
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 60W (Tc)
Упаковка / TO-204AA, TO-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 350 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF122 DataSheet PDF

Ключевые слова для IRF122

Связанные детали для IRF122