Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF135S203
IRF135S203 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF135S203

Номер детали производителя IRF135S203
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Упаковка PG-TO263-3-2
В наличии 59728 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering SystemMult Dev Wafer Site Add 20/Mar/2019
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$1.081 $0.969 $0.779
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 59728 Infineon Technologies IRF135S203 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3-2
Серии HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 77A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 441W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9700 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 270 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 135 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 129A (Tc)
Базовый номер продукта IRF135

Рекомендуемые продукты

IRF135S203 DataSheet PDF

Техническая спецификация