Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > G2K3N10L6
Goford Semiconductor

G2K3N10L6

Номер детали производителя G2K3N10L6
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание N100V, 3A,RD<220M@10V,VTH1.0V~2.
Упаковка SOT-23-6L
В наличии 2346340 pcs
Техническая спецификация G2K3N10L6
Справочная цена (В долларах США)
3000 15000 30000 51000
$0.025 $0.023 $0.02 $0.019
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 2346340 Goford Semiconductor G2K3N10L6 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-23-6L
Серии G
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 2A, 10V
Мощность - Макс 1.67W (Tc)
Упаковка / SOT-23-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 536pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта G2K3N

Рекомендуемые продукты

G2K3N10L6 DataSheet PDF

Техническая спецификация