Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NDS8852H
NDS8852H Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NDS8852H

Номер детали производителя NDS8852H
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 5657 pcs
Техническая спецификация NDS8852Honsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5657 onsemi NDS8852H в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.4A, 10V
Мощность - Макс 1W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 300pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.3A, 3.4A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта NDS885

Рекомендуемые продукты

NDS8852H DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NDS8852H

Связанные детали для NDS8852H