Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > G200P04S2
Goford Semiconductor

G200P04S2

Номер детали производителя G200P04S2
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Упаковка 8-SOP
В наличии 324001 pcs
Техническая спецификация G200P04S2
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.364 $0.319 $0.245 $0.193 $0.155 $0.14
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 324001 Goford Semiconductor G200P04S2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOP
Серии G
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 10V
Мощность - Макс 2.1W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2365pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9A (Tc)
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта G200

Рекомендуемые продукты

G200P04S2 DataSheet PDF

Техническая спецификация