Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > G2002A
Goford Semiconductor

G2002A

Номер детали производителя G2002A
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Упаковка SOT-23-6L
В наличии 1601596 pcs
Техническая спецификация G2002A
Справочная цена (В долларах США)
3000 15000 30000 51000
$0.035 $0.032 $0.029 $0.027
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 1601596 Goford Semiconductor G2002A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-23-6L
Серии G
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Tc)
Упаковка / SOT-23-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 733 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Tc)

Рекомендуемые продукты

G2002A DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для G2002A

Связанные детали для G2002A