Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > G1K8P06S2
Goford Semiconductor

G1K8P06S2

Номер детали производителя G1K8P06S2
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание P-60V,-3.2A,RD(MAX)<170M@-10V,VT
Упаковка 8-SOP
В наличии 1357490 pcs
Техническая спецификация G1K8P06S2
Справочная цена (В долларах США)
4000 16000 32000 48000
$0.039 $0.036 $0.033 $0.03
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 1357490 Goford Semiconductor G1K8P06S2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOP
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1A, 10V
Мощность - Макс 2W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 594pF @ 30V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11.3nC @ 10V
FET Характеристика Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.2A (Tc)
конфигурация 2 P-Channel

Рекомендуемые продукты

G1K8P06S2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для G1K8P06S2

Связанные детали для G1K8P06S2