Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

GA20JT12-263

Номер детали производителя	GA20JT12-263
производитель	GeneSiC Semiconductor
Подробное описание	TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Упаковка	TO-263-7
В наличии	4359 pcs
Техническая спецификация	GA20JT12-263 DK OBS NOTICE

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GeneSiC Semiconductor.У нас есть кусочки 4359 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	-
Vgs (макс.)	-
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Поставщик Упаковка устройства	TO-263-7
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 20A
Рассеиваемая мощность (макс)	282W (Tc)
Упаковка /	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Упаковка	Tube

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	3091 pF @ 800 V
Тип FET	-
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	-
Слить к источнику напряжения (VDSS)	1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	45A (Tc)
Базовый номер продукта	GA20JT12