Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > GA20JT12-247
GeneSiC Semiconductor

GA20JT12-247

Номер детали производителя GA20JT12-247
производитель GeneSiC Semiconductor
Подробное описание TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Упаковка TO-247AB
В наличии 6214 pcs
Техническая спецификация Mult Devices OBS 27/Apr/2018GA20JT12-247
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GeneSiC Semiconductor.У нас есть кусочки 6214 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) -
Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Поставщик Упаковка устройства TO-247AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A
Рассеиваемая мощность (макс) 282W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tube
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип FET -
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)

Рекомендуемые продукты

GA20JT12-247 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для GA20JT12-247

Связанные детали для GA20JT12-247