Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > GA10JT12-263
GeneSiC Semiconductor

GA10JT12-263

Номер детали производителя GA10JT12-263
производитель GeneSiC Semiconductor
Подробное описание TRANS SJT 1200V 25A
Упаковка Tube
В наличии 4468 pcs
Техническая спецификация GA10JT12-263DK OBS NOTICE
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GeneSiC Semiconductor.У нас есть кусочки 4468 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) -
Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 10A
Рассеиваемая мощность (макс) 170W (Tc)
Упаковка / -
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1403 pF @ 800 V
Тип FET -
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 25A (Tc)
Базовый номер продукта GA10JT12

Рекомендуемые продукты

GA10JT12-263 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для GA10JT12-263

Связанные детали для GA10JT12-263