Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > GA100JT12-227
GeneSiC Semiconductor

GA100JT12-227

Номер детали производителя GA100JT12-227
производитель GeneSiC Semiconductor
Подробное описание TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Упаковка SOT-227
В наличии 3921 pcs
Техническая спецификация GA100JT12-227
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии GeneSiC Semiconductor.У нас есть кусочки 3921 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) -
Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Поставщик Упаковка устройства SOT-227
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 100A
Рассеиваемая мощность (макс) 535W (Tc)
Упаковка / SOT-227-4, miniBLOC
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 14400 pF @ 800 V
Тип FET -
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 160A (Tc)

Рекомендуемые продукты

GA100JT12-227 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для GA100JT12-227

Связанные детали для GA100JT12-227