MRFE6VS25GNR1
Номер детали производителя | MRFE6VS25GNR1 |
---|---|
производитель | Freescale Semiconductor |
Подробное описание | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
Упаковка | TO-270-2 GULL |
В наличии | 5765 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Freescale Semiconductor.У нас есть кусочки 5765 Freescale Semiconductor MRFE6VS25GNR1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - испытания | 50 V |
Напряжение - Номинальный | 133 V |
Технологии | LDMOS |
Поставщик Упаковка устройства | TO-270-2 GULL |
Серии | - |
Выходная мощность | 25W |
Упаковка / | TO-270BA |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Bulk |
Коэффициент шума | - |
Тип установки | Surface Mount |
Усиление | 25.4dB |
частота | 512MHz |
Текущий рейтинг (AMP) | - |
Ток - Тест | 10 mA |
Рекомендуемые продукты
-
MRFE6VS25NR1528
Wideband RF Power LDMOS TransistFreescale Semiconductor -
MRFE6VS25GNR1
RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULLNXP USA Inc. -
MRFG35002N6T1
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5NXP USA Inc. -
MRFG35002N6AT1
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5NXP USA Inc. -
MRFE6VP6600NR3
RF MOSFET LDMOS DL 50V OM780-4NXP USA Inc. -
MRFE6VP8600HSR6
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230SNXP USA Inc. -
MRFE6VP8600HSR5
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230SNXP USA Inc. -
MRFE6VS25GN-960
MRFE6VS25GN REF BRD 1215MHZ 30WNXP USA Inc. -
MRFE6VS25LR5
FET RF 133V 512MHZ NI360LNXP USA Inc. -
MRFE6VS25GNR1528
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTNXP USA Inc. -
MRFE6VS25NR1
FET RF 133V 512MHZ TO270-2NXP USA Inc. -
MRFE8VP8600HSR5
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISNXP USA Inc. -
MRFE6VP8600HR5
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230NXP USA Inc. -
MRFE8VP8600HR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFreescale Semiconductor -
MRFE6VP8600HR6
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230HNXP USA Inc. -
MRFE6VP6600GNR3
TRANS RF LDMOS 600W 50VNXP USA Inc. -
MRFG35002N6R5
FET RF 8V 3.55GHZNXP USA Inc. -
MRFE6VP6600NR3,528
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTNXP USA Inc. -
MRFE8VP8600HR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORNXP Semiconductors -
MRFE6VP6600NR3
RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRAFreescale Semiconductor