MRFE8VP8600HSR5
Номер детали производителя | MRFE8VP8600HSR5 |
---|---|
производитель | NXP USA Inc. |
Подробное описание | BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS |
Упаковка | NI-1230-4S |
В наличии | 532 pcs |
Техническая спецификация | All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS CertMult Dev 14/Dec/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
50 |
---|
$62.891 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 532 NXP USA Inc. MRFE8VP8600HSR5 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - испытания | 50 V |
Напряжение - Номинальный | 115 V |
Технологии | LDMOS |
Поставщик Упаковка устройства | NI-1230-4S |
Серии | - |
Выходная мощность | 140W |
Упаковка / | NI-1230-4S |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Коэффициент шума | - |
Тип установки | Chassis Mount |
Усиление | 21dB |
частота | 860MHz |
Текущий рейтинг (AMP) | 20µA |
Ток - Тест | 1.4 A |
Базовый номер продукта | MRFE8 |
Рекомендуемые продукты
-
MRFE8VP8600HR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORNXP Semiconductors -
MRFE6VS25GNR1
RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULLNXP USA Inc. -
MRFG35003MT1
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLDNXP USA Inc. -
MRFG35002N6R5
FET RF 8V 3.55GHZNXP USA Inc. -
MRFE6VS25NR1528
Wideband RF Power LDMOS TransistFreescale Semiconductor -
MRFG35003ANT1
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5NXP USA Inc. -
MRFG35003ANT1
RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-CFreescale Semiconductor -
MRFG35003M6R5
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLDNXP USA Inc. -
MRFE6VS25NR1
FET RF 133V 512MHZ TO270-2NXP USA Inc. -
MRFG35003M6T1
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLDNXP USA Inc. -
MRFE6VS25GN-960
MRFE6VS25GN REF BRD 1215MHZ 30WNXP USA Inc. -
MRFE6VS25GNR1528
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTNXP USA Inc. -
MRFG35002N6T1
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5NXP USA Inc. -
MRFG35002N6AT1
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5NXP USA Inc. -
MRFE8VP8600HR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFreescale Semiconductor -
MRFG35002N6T1
RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-CFreescale Semiconductor -
MRFE6VS25LR5
FET RF 133V 512MHZ NI360LNXP USA Inc. -
MRFE6VP8600HSR6
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230SNXP USA Inc. -
MRFG35003ANR5
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5NXP USA Inc. -
MRFE6VS25GNR1
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFreescale Semiconductor